Citation:
F.Djeffal, Lakhdar N, Behaya A. An accurate two-dimensional analytical subthreshold swing model to study the scaling capability of the surrounding-gate MOSFET. International Review of Physics [Internet]. 2008;pp. 306-311, 2(5).
Pr. BENHAYA Abdelhamid
Professeur (Enseignant-Chercheur)
Faculté de Technologie, Département d'Électronique
Université Batna 2
